Diferencia entre revisiones de «Hafnio»

Es un metal [[Ductilidad|dúctil]], brillante, plateado y resistente a la corrosión; químicamente muy similar al [[circonio]]. Estos dos elementos tienen el mismo número de [[Electrón|electrones]] en sus capas exteriores y sus [[Radio iónico|radios iónicos]] son muy similares debido a la [[Contracción lantánida|contracción de los lantánidos]]. Por eso son muy difíciles de separar (los procesos geológicos no los han separado y en la naturaleza se encuentran juntos) y no hay otros elementos químicos que se parezcan más entre sí. Las únicas aplicaciones para las cuales es necesario separarlos es en aquellas en las que se utilizan por sus propiedades de absorción de neutrones, en reactores nucleares.

El [[carburo de hafnio]] (HfC) es el compuesto binario más [[:Wiktionary:ES:refractario|refractario]] conocido, con un [[punto de fusión]] de 3.890 °C, y el [[nitruro de hafnio]] (HfN) es el más refractario de todos los [[Nitruro|nitruros]] metálicos conocidos, con un punto de fusión de 3.310 °C. El [[carburo mixto de hafnio y tántalo]] (Ta4HfC5) es el compuesto múltiple con más alto punto de fusión conocido, 4.215 °C.

El hafnio se utiliza para fabricar barras de control empleadas en reactores nucleares, como las que se pueden encontrar en [[Propulsión nuclear marina|submarinos nucleares]], debido a que la sección de captura de [[Neutrón|neutrones]] del hafnio es unas 600 veces la del circonio, con lo cual tiene una alta capacidad de absorción de neutrones, y además tiene unas propiedades mecánicas muy buenas, así como una alta resistencia a la corrosión. Otras aplicaciones:

* En enero de 2007, se anunció como parte fundamental de una nueva tecnología de [[microprocesador]]es, desarrollada separadamente por [[IBM]] e [[Intel Corporation|Intel]], en reemplazo del [[silicio]] pero únicamente en el [[dieléctrico]] de compuerta del [[transistor]], en el resto del dispositivo se sigue utilizando silicio que es el material de base tradicional.[https://web.archive.org/web/20070205183955/http://computing.belcart.com/bg/news/30/Intel-e-IBM-resuelven-perdidas-en-los-microprocesadores][https://web.archive.org/web/20070203062140/http://www.abc.es/20070128/tecnologia-tecnologia/nueva-generacion-chips-intel_200701280245.html]

* Uno de sus derivados, en concreto el [[óxido de Hafniohafnio]] posee un índice de refracción intermedio entre el silicio y el aire. Este compuesto se emplea en la transición entre estos dos interfaces en los dispositivos fotónicos de Sisilicio, reduciendo de esta manera las pérdidas debidas a reflexiones.

Se llamó hafnio por el nombre de Copenhague en latín, ''Hafnia'', la ciudad danesa en donde fue descubierto por Dirk Coster y George Hevesy en 1923. Poco después se predijo, usando la teoría de Bohr, que estaría asociado con el circonio, y finalmente se encontró en el circón mediante unos análisis con [[espectroscopia de rayos X]] en Noruega.

Se encuentra siempre junto al circonio en sus mismos compuestos, pero no se encuentra como elemento libre en la naturaleza. Está presente, como mezclas, en los minerales de circonio, como el [[circón]] (ZrSiO₄) y otras variedades de éste (como la [[alvitaalbita]]), conteniendo entre un 1 y un 5% de hafnio.

Debido a la química casi idéntica que presentan el circonio y el hafnio, es muy difícil separarlos. Aproximadamente la mitad de todo el hafnio metálico producido se obtiene como subproducto de la purificación del circonio. Esto se hace reduciendo el [[tetracloruro de hafnio]] (HfCl₄) con [[magnesio]] o [[sodio]] en el [[Método de Kroll|proceso de Kroll]].