Diferencia entre revisiones de «Memoria no volátil de acceso aleatorio»
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La necesidad de mantener los datos, incluso cuando cesa la [[corriente eléctrica|alimentación]], motivó el surgimiento de diversos tipos de [[memoria (informática)|memorias]] [[ROM]] reprogramables: eléctricamente alterables - [[EAROM]], eléctricamente borrables - [[EEPROM]], programables y borrables - [[EPROM]] y [[flash EEPROM]]. Cada nuevo tipo mejora la facilidad de grabación y duración de los [[dato]]s, pero distan de poder utilizarse como memoria [[Memoria de acceso aleatorio|RAM]].
Para obtener una memoria de escritura rápida y de un número ilimitado de ciclos de escritura existen dos
[[Archivo:DS1225.JPG|thumb|Memoria NVRAM de Dallas Semiconductor.]]
La primera, propuesta por Dallas Semiconductor, consiste en un circuito híbrido que integra una RAM cmos de bajo consumo, una pila de litio y un controlador, que consiste en un monitor de tensión y la lógica necesaria para inhibir la escritura y mantener los buses en alta impedancia cuando la tensión está fuera de especificaciones. Esta solución aprovecha las ventajas de las [[CMOS-RAM]]: velocidad y bajo consumo, y la larga duración de las [[pila de litio|pilas de lítio]] (unos diez años). Otros modelos incluyen reloj en tiempo real y otras prestaciones.
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