Diferencia entre revisiones de «Memoria flash»

Las memorias flash basadas en puertas lógicas [[Puerta lógica#Puerta NO-Y (NAND)|NAND]] funcionan de forma ligeramente diferente: usan un túnel de inyección para la escritura y para el borrado un túnel de ‘soltado’. Las memorias basadas en NAND tienen, además de la evidente ba<ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref><ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref></ref>sebase en otro tipo de puertas, un costo bastante inferior, unas diez veces de más resistencia a las operaciones, pero sólo permiten acceso secuencial (más orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en [[Puerta lógica#Puerta NO-O (NOR)|NOR]] que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansión de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es más sencillo (aunque también se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base más rentable para la creación de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares [[memoria USB|memorias USB]] o también llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo [[NAND]].