Diferencia entre revisiones de «Termoelectricidad»

Para su empleo a temperaturas medias (entre los 550K y 750K aproximadamente), el material más empleado es el [[telurio]] de [[plomo]] '''PbTe''' y sus aleaciones '''(PbSn) Te''' (Sn = [[estaño]]). Ambos compuestos, PbTe y SnTe pueden formar una [[solución sólida]] completa lo que permite optimizar la banda prohibida del [[semiconductor]] al valor deseado. Los mejores materiales obtenidos poseen factores de mérito próximos a la unidad a una temperatura cercana a los 700K.<ref>Z. H. Dughaish, Lead telluride as a thermoelectric material for thermoelectric power generation, Physica B, Vol. 322 (2002), pp. 205.</ref> Sin embargo, estos valores se obtienen únicamente en materiales de tipo N. Por tanto, actualmente el PbTe no puede constituir por sisí solo las dos ramas de un termoelemento. La rama P se construye generalmente con un material de tipo TAGS (por sus componentes [[Telurio]]-[[Antimonio]]-[[Germanio]]-[[Plata]]), que alcanzan valores de mérito superiores a la unidad a 700K pero exclusivamente para el tipo P.<ref>J. W. Sharp, Some properties of Ge-Te based thermoelectric materials, Proc 22nd International Conference on Thermoelectrics, La Grand Motte, France, 2003, pp. 267.</ref> Por lo tanto, resulta crucial descubrir un material que pueda emplearse como tipo P y N en esta gama de temperaturas, ya que industrialmente, resulta más fácil emplear el mismo material para las dos ramas, eliminando además la necesidad de emplear [[Telurio]], que es extremadamente tóxico.<ref>Ficha internacional de seguridad para el telurio, disponible en: [http://www.cdc.gov/niosh/ipcsnfrn/nfrn0986.html].</ref>